Qualcomm Snapdragon 805 Qualcomm Snapdragon 805
HiSilicon Kirin 930 HiSilicon Kirin 930
VS

Porównanie Qualcomm Snapdragon 805 vs HiSilicon Kirin 930

Qualcomm Snapdragon 805

Qualcomm Snapdragon 805

Ocena: 1 Zwrotnica
HiSilicon Kirin 930

WINNER
HiSilicon Kirin 930

Ocena: 19 Zwrotnica
Stopień
Qualcomm Snapdragon 805
HiSilicon Kirin 930
Interfejsy i komunikacja
0
6
Specyfikacja pamięci
2
2
Wydajność
3
10

Najlepsze specyfikacje i funkcje

Częstotliwość pamięci

Qualcomm Snapdragon 805: 800 MHz HiSilicon Kirin 930: 1600 MHz

Wsparcie 4G

Qualcomm Snapdragon 805: Tak HiSilicon Kirin 930: Tak

Proces technologiczny

Qualcomm Snapdragon 805: 28 nm HiSilicon Kirin 930: 28 nm

Bazowy zegar GPU

Qualcomm Snapdragon 805: 500 MHz HiSilicon Kirin 930: 600 MHz

Liczba wątków

Qualcomm Snapdragon 805: 4 HiSilicon Kirin 930: 8

Opis

HiSilicon Kirin 930 jest wyposażony w 8 rdzeni taktowanych 2000 MHz. Maksymalna częstotliwość pierwszego procesora to Brak danych GHz. Drugi jest w stanie przetaktować do 2 GHz.

Qualcomm Snapdragon 805 zużywa Brak danych watów i HiSilicon Kirin 930 Brak danych watów.

Jeśli chodzi o rdzeń graficzny. Qualcomm Snapdragon 805 jest wyposażony w Brak danych. Drugi wykorzystuje Mali-T628 MP4. Pierwszy działa na częstotliwości 500 MHz. HiSilicon Kirin 930 działa z częstotliwością 600 MHz.

Odnośnie pamięci procesora. Qualcomm Snapdragon 805 może obsługiwać DDRBrak danych. Maksymalna pojemność pamięci to Brak danych GB. A jego przepustowość wynosi 25.6 GB/s. HiSilicon Kirin 930 współpracuje z DDR3. Maksymalna ilość pamięci może wynosić 6. Jednocześnie przepustowość sięga 13 GB/s

Przejdźmy do testów wydajności w testach porównawczych. W teście porównawczym AnTuTu Qualcomm Snapdragon 805 zdobył Brak danych punktów na 988414 możliwych punktów. W teście porównawczym GeekBench 5 (Multi-Core) uzyskał Brak danych punktów na 16511 możliwych punktów. HiSilicon Kirin 930 w Antutu otrzymał 133876 punktów. A GeekBench 5 (Multi-Core) zdobył 878 punktów.

Wyniki.

Dlaczego HiSilicon Kirin 930 jest lepszy niż Qualcomm Snapdragon 805

  • Przepustowość pamięci 25.6 GB/s против 13 GB/s, więcej na temat 97%
  • DirectX 11.1 против 11 , więcej na temat 1%

Porównanie Qualcomm Snapdragon 805 i HiSilicon Kirin 930: Highlights

Qualcomm Snapdragon 805
Qualcomm Snapdragon 805
HiSilicon Kirin 930
HiSilicon Kirin 930
Interfejsy i komunikacja
Wersja eMMC
Standardowy format pamięci flash, który jest zintegrowany bezpośrednio z SoC. Nowsze wersje eMMC zapewniają szybsze przesyłanie danych, szybsze ładowanie aplikacji i lepszą ogólną wydajność urządzenia. Pokaż w całości
5
max 5.1
Średnia: 2.7
2
max 5.1
Średnia: 2.7
Wsparcie 4G
LTE znajduje się w systemie na chipie (SoC). Wbudowane LTE typu komórkowego pozwala na pobieranie znacznie szybciej niż starsze technologie 3G.
Tak
Tak
Polecenia Intel® AES-NI
AES jest potrzebny do przyspieszenia szyfrowania i deszyfrowania.
Nie
Tak
Specyfikacja pamięci
Częstotliwość pamięci
Pamięć RAM może być szybsza, aby zwiększyć wydajność systemu.
800 MHz
max 7500
Średnia: 1701 MHz
1600 MHz
max 7500
Średnia: 1701 MHz
Przepustowość pamięci
Jest to szybkość, z jaką urządzenie przechowuje lub odczytuje informacje.
25.6 GB/s
max 77
Średnia: 24.1 GB/s
13 GB/s
max 77
Średnia: 24.1 GB/s
Maks. ilość kanałów pamięci
Im większa ich liczba, tym większa szybkość przesyłania danych z pamięci do procesora
2
max 8
Średnia: 2.1
2
max 8
Średnia: 2.1
Wydajność
Hyper-threading
Technologia umożliwiająca pojedynczemu procesorowi fizycznemu wykonywanie wielu wątków zadań jednocześnie.
Nie
Nie
64-bit
Procesor obsługuje przetwarzanie danych i instrukcji z 64-bitową szerokością. Pozwala to przetwarzać więcej danych i wykonywać bardziej złożone obliczenia w porównaniu z procesorami 32-bitowymi. Pokaż w całości
Nie
Tak
Liczba wątków
Im więcej wątków, tym wyższa będzie wydajność procesora i będzie w stanie wykonywać kilka zadań jednocześnie.
4
max 24
Średnia: 5.7
8
max 24
Średnia: 5.7
Rozmiar pamięci podręcznej L2
Pamięć podręczna L2 z dużą ilością pamięci typu scratchpad pozwala zwiększyć szybkość procesora i ogólną wydajność systemu.
2 MB
max 14
Średnia: 1.6 MB
MB
max 14
Średnia: 1.6 MB
Rozmiar pamięci podręcznej L1
Duża ilość pamięci L1 przyspiesza wyniki w ustawieniach wydajności procesora i systemu
128 KB
max 2048
Średnia: 158.4 KB
KB
max 2048
Średnia: 158.4 KB
Odblokowany mnożnik
Niektóre procesory mają odblokowany mnożnik, dzięki czemu działają szybciej i poprawiają jakość w grach i innych aplikacjach.
Nie
Nie

FAQ

Ile punktów Qualcomm Snapdragon 805 i HiSilicon Kirin 930 zdobywają w testach porównawczych?

W teście porównawczym Antutu Qualcomm Snapdragon 805 zdobył Brak danych punktów. HiSilicon Kirin 930 zdobył 133876 punktów.

Ile rdzeni ma procesor?

Qualcomm Snapdragon 805 ma Brak danych rdzeni. HiSilicon Kirin 930 ma 8 rdzeni.

Ile tranzystorów jest w procesorach?

Qualcomm Snapdragon 805 ma Brak danych milionów tranzystorów. HiSilicon Kirin 930 ma 1000 milionów tranzystorów.

Jaki układ GPU jest zainstalowany w urządzeniach Qualcomm Snapdragon 805 i HiSilicon Kirin 930?

Qualcomm Snapdragon 805 używa Brak danych. Procesor HiSilicon Kirin 930 ma zainstalowany rdzeń graficzny Mali-T628 MP4.

Jak szybkie są procesory?

Qualcomm Snapdragon 805 jest taktowany Brak danych MHz. HiSilicon Kirin 930 działa z częstotliwością 2000 MHz.

Jaki rodzaj pamięci RAM jest obsługiwany?

Qualcomm Snapdragon 805 obsługuje DDRBrak danych. HiSilicon Kirin 930 obsługuje DDR3.

Jaka jest maksymalna częstotliwość procesorów?

Qualcomm Snapdragon 805 ma maksymalną częstotliwość Brak danych Hz. Maksymalna częstotliwość dla HiSilicon Kirin 930 osiąga 2 GHz.

Ile zużywają energii?

Zużycie energii przez Qualcomm Snapdragon 805 może wynosić do Brak danych watów. HiSilicon Kirin 930 ma do Brak danych watów.