So sánh HiSilicon Kirin 9000E vs Qualcomm Snapdragon 200 - 8612
cấp độ
Thông số kỹ thuật và tính năng
Điểm kiểm tra AnTuTu
tần số bộ nhớ
hỗ trợ 4G
Quy trình công nghệ
Đồng hồ cơ sở GPU
Mô tả
HiSilicon Kirin 9000E - 8 - bộ xử lý lõi, tốc độ 3130 GHz. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 được trang bị các lõi Không có dữ liệu có tốc độ Không có dữ liệu MHz. Tần số tối đa của bộ xử lý đầu tiên là 3.3 GHz. Cái thứ hai có khả năng ép xung lên Không có dữ liệu GHz.
HiSilicon Kirin 9000E tiêu thụ 6 Watt và Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 Không có dữ liệu Watt.
Đối với lõi đồ họa. HiSilicon Kirin 9000E được trang bị Mali-G78 MP22. Cái thứ hai sử dụng Không có dữ liệu. Cái đầu tiên hoạt động ở tần số 760 MHz. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 hoạt động ở tần số 400 MHz.
Về bộ nhớ của bộ xử lý. HiSilicon Kirin 9000E có thể hỗ trợ DDR5. Dung lượng bộ nhớ tối đa là 16 GB. Và thông lượng của nó là 44 GB/giây. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 hoạt động với DDRKhông có dữ liệu. Dung lượng bộ nhớ tối đa có thể là Không có dữ liệu. Đồng thời, thông lượng đạt Không có dữ liệu GB/giây
Hãy chuyển sang thử nghiệm hiệu suất trong điểm chuẩn. Trong điểm chuẩn AnTuTu, HiSilicon Kirin 9000E đã ghi được 319585 điểm trong tổng số 988414 điểm có thể. Trong điểm chuẩn GeekBench 5 (Đa lõi), nó đã ghi được 3582 điểm trong tổng số 16511 điểm có thể. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 trong Antutu đã nhận được Không có dữ liệu điểm. Và GeekBench 5 (Đa lõi) đã ghi được Không có dữ liệu điểm.
Kết quả.
Tại sao HiSilicon Kirin 9000E tốt hơn Qualcomm Snapdragon 200 - 8612?
- tần số bộ nhớ 2750 MHz против 333 MHz, thêm về 726%
- Quy trình công nghệ 5 nm против 28 nm, ít hơn bởi -82%
- Đồng hồ cơ sở GPU 760 MHz против 400 MHz, thêm về 90%
- Số của chủ đề 8 против 2 , thêm về 300%
- DirectX 12 против 9.3 , thêm về 29%
So sánh HiSilicon Kirin 9000E và Qualcomm Snapdragon 200 - 8612: khoảng thời gian cơ bản
Giao diện và thông tin liên lạc
Đặc điểm kỹ thuật bộ nhớ
Màn biểu diễn
Kiểm tra trong điểm chuẩn
FAQ
HiSilicon Kirin 9000E và Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 đạt bao nhiêu điểm trong điểm chuẩn?
Trong điểm chuẩn Antutu, HiSilicon Kirin 9000E đã ghi được 319585 điểm. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 đã ghi được Không có dữ liệu điểm.
Bộ xử lý có bao nhiêu lõi?
HiSilicon Kirin 9000E có 8 lõi. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 có Không có dữ liệu lõi.
Có bao nhiêu bóng bán dẫn trong bộ xử lý?
HiSilicon Kirin 9000E có 15300 triệu bóng bán dẫn. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 có Không có dữ liệu triệu bóng bán dẫn.
GPU nào được cài đặt trên HiSilicon Kirin 9000E và Qualcomm Snapdragon 200 - 8612?
HiSilicon Kirin 9000E sử dụng Mali-G78 MP22. Bộ xử lý Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 đã cài đặt lõi đồ họa Không có dữ liệu.
Bộ xử lý chạy nhanh như thế nào?
HiSilicon Kirin 9000E có tốc độ 3130 MHz. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 hoạt động ở tần số Không có dữ liệu MHz.
Loại RAM nào được hỗ trợ?
HiSilicon Kirin 9000E hỗ trợ DDR5. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 hỗ trợ DDRKhông có dữ liệu.
Tần suất tối đa của bộ xử lý là bao nhiêu?
HiSilicon Kirin 9000E có tần số tối đa là 3.3 Hz. Tần số tối đa cho Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 đạt Không có dữ liệu GHz.
Họ tiêu thụ bao nhiêu năng lượng?
Mức tiêu thụ điện năng của HiSilicon Kirin 9000E có thể lên tới 6 Watts. Qualcomm Snapdragon 200 - 8612 có tối đa 6 Watt.