Porównanie HiSilicon Kirin 810 vs Qualcomm Snapdragon 450
Stopień
Najlepsze specyfikacje i funkcje
Wynik testu AnTuTu
Częstotliwość pamięci
Wsparcie 4G
Proces technologiczny
Bazowy zegar GPU
Opis
HiSilicon Kirin 810 zużywa 5 watów i Qualcomm Snapdragon 450 3 watów.
Jeśli chodzi o rdzeń graficzny. HiSilicon Kirin 810 jest wyposażony w Mali-G52 MP6. Drugi wykorzystuje Adreno 506. Pierwszy działa na częstotliwości 820 MHz. Qualcomm Snapdragon 450 działa z częstotliwością Brak danych MHz.
Odnośnie pamięci procesora. HiSilicon Kirin 810 może obsługiwać DDR4. Maksymalna pojemność pamięci to 8 GB. A jego przepustowość wynosi 32 GB/s. Qualcomm Snapdragon 450 współpracuje z DDR3. Maksymalna ilość pamięci może wynosić 4. Jednocześnie przepustowość sięga 7 GB/s
Przejdźmy do testów wydajności w testach porównawczych. W teście porównawczym AnTuTu HiSilicon Kirin 810 zdobył 351268 punktów na 988414 możliwych punktów. W teście porównawczym GeekBench 5 (Multi-Core) uzyskał 1857 punktów na 16511 możliwych punktów. Qualcomm Snapdragon 450 w Antutu otrzymał 101799 punktów. A GeekBench 5 (Multi-Core) zdobył 976 punktów.
Wyniki.
Dlaczego HiSilicon Kirin 810 jest lepszy niż Qualcomm Snapdragon 450
- Wynik testu AnTuTu 351268 против 101799 , więcej na temat 245%
- Częstotliwość pamięci 2133 MHz против 933 MHz, więcej na temat 129%
- Proces technologiczny 7 nm против 14 nm, mniej o -50%
- Maksymalna częstotliwość procesora 2.27 GHz против 1.8 GHz, więcej na temat 26%
- Przepustowość pamięci 32 GB/s против 7 GB/s, więcej na temat 357%
- Maks. Pamięć 8 GB против 4 GB, więcej na temat 100%
- Maks. ilość kanałów pamięci 4 против 1 , więcej na temat 300%
- DirectX 12 против 11.1 , więcej na temat 8%
Porównanie HiSilicon Kirin 810 i Qualcomm Snapdragon 450: Highlights
Interfejsy i komunikacja
Specyfikacja pamięci
Wydajność
Testy porównawcze
FAQ
Ile punktów HiSilicon Kirin 810 i Qualcomm Snapdragon 450 zdobywają w testach porównawczych?
W teście porównawczym Antutu HiSilicon Kirin 810 zdobył 351268 punktów. Qualcomm Snapdragon 450 zdobył 101799 punktów.
Ile rdzeni ma procesor?
HiSilicon Kirin 810 ma 8 rdzeni. Qualcomm Snapdragon 450 ma 8 rdzeni.
Ile tranzystorów jest w procesorach?
HiSilicon Kirin 810 ma 6900 milionów tranzystorów. Qualcomm Snapdragon 450 ma 2000 milionów tranzystorów.
Jaki układ GPU jest zainstalowany w urządzeniach HiSilicon Kirin 810 i Qualcomm Snapdragon 450?
HiSilicon Kirin 810 używa Mali-G52 MP6. Procesor Qualcomm Snapdragon 450 ma zainstalowany rdzeń graficzny Adreno 506.
Jak szybkie są procesory?
HiSilicon Kirin 810 jest taktowany 2270 MHz. Qualcomm Snapdragon 450 działa z częstotliwością 1800 MHz.
Jaki rodzaj pamięci RAM jest obsługiwany?
HiSilicon Kirin 810 obsługuje DDR4. Qualcomm Snapdragon 450 obsługuje DDR3.
Jaka jest maksymalna częstotliwość procesorów?
HiSilicon Kirin 810 ma maksymalną częstotliwość 2.27 Hz. Maksymalna częstotliwość dla Qualcomm Snapdragon 450 osiąga 1.8 GHz.
Ile zużywają energii?
Zużycie energii przez HiSilicon Kirin 810 może wynosić do 5 watów. Qualcomm Snapdragon 450 ma do 5 watów.