![Qualcomm Snapdragon 835](/upload/iblock/3ee/Qualcomm.jpg)
![HiSilicon Kirin 930](/upload/resize_cache/iblock/c12/340_345_0/HiSilicon.png)
Porovnání Qualcomm Snapdragon 835 vs HiSilicon Kirin 930
Stupeň
Nejlepší specifikace a funkce
Výsledky testu AnTuTu
Frekvence paměti
podpora 4G
Technologický proces
Základní takt GPU
Popis
Qualcomm Snapdragon 835 – 8 – jádrový procesor, taktovaný na 2450 GHz. HiSilicon Kirin 930 je vybaven jádry 8 taktovanými na frekvenci 2000 MHz. Maximální frekvence prvního procesoru je 2.45 GHz. Druhý je schopen přetaktování na 2 GHz.
Qualcomm Snapdragon 835 spotřebovává 9 Watt a HiSilicon Kirin 930 Neexistují žádná data Watt.
Pokud jde o grafické jádro. Qualcomm Snapdragon 835 je vybaveno Adreno 540. Druhý používá Mali-T628 MP4. První pracuje na frekvenci 710 MHz. HiSilicon Kirin 930 pracuje na frekvenci 600 MHz.
Ohledně paměti procesoru. Qualcomm Snapdragon 835 může podporovat DDR4. Maximální kapacita paměti je 8 GB. A jeho propustnost je 30 GB/s. HiSilicon Kirin 930 funguje s DDR3. Maximální velikost paměti může být 6. Propustnost přitom dosahuje 13 GB/s
Přejděme k testování výkonu ve srovnávacích testech. V benchmarku AnTuTu získal Qualcomm Snapdragon 835 330126 bodů z 988414 možných bodů. V benchmarku GeekBench 5 (Multi-Core) získal 1801 bodů z možných 16511 bodů. HiSilicon Kirin 930 v Antutu získalo 133876 bodů. A GeekBench 5 (Multi-Core) získal 878 bodů.
Výsledky.
Proč je Qualcomm Snapdragon 835 lepší než HiSilicon Kirin 930
- Výsledky testu AnTuTu 330126 против 133876 , více na 147%
- Frekvence paměti 1866 MHz против 1600 MHz, více na 17%
- Technologický proces 10 nm против 28 nm, méně o -64%
- Základní takt GPU 710 MHz против 600 MHz, více na 18%
- Maximální frekvence procesoru 2.45 GHz против 2 GHz, více na 23%
- Šířka pásma paměti 30 GB/s против 13 GB/s, více na 131%
- Max. Paměť 8 GB против 6 GB, více na 33%
- DirectX 12 против 11 , více na 9%
Qualcomm Snapdragon 835 vs HiSilicon Kirin 930: hlavní body
![Qualcomm Snapdragon 835](/upload/iblock/3ee/Qualcomm.jpg)
![HiSilicon Kirin 930](/upload/resize_cache/iblock/c12/340_345_0/HiSilicon.png)
Rozhraní a komunikace
Specifikace paměti
Výkon
Testy v benchmarcích
FAQ
Kolik bodů získávají Qualcomm Snapdragon 835 a HiSilicon Kirin 930 ve srovnávacích testech?
V benchmarku Antutu dosáhl Qualcomm Snapdragon 835 330126 bodů. HiSilicon Kirin 930 získal 133876 bodů.
Kolik jader má procesor?
Qualcomm Snapdragon 835 má 8 jader. HiSilicon Kirin 930 má 8 jader.
Podporuje procesor NAVIC?
Qualcomm Snapdragon 835 Neexistují žádná data.
Kolik tranzistorů je v procesorech?
Qualcomm Snapdragon 835 má 3000 milionů tranzistorů. HiSilicon Kirin 930 má 1000 milionů tranzistorů.
Jaký GPU je nainstalován v zařízení Qualcomm Snapdragon 835 a HiSilicon Kirin 930?
Qualcomm Snapdragon 835 používá Adreno 540. Procesor HiSilicon Kirin 930 má nainstalované grafické jádro Mali-T628 MP4.
Jak rychlé jsou procesory?
Qualcomm Snapdragon 835 je taktován na 2450 MHz. HiSilicon Kirin 930 pracuje na frekvenci 2000 MHz.
Jaký typ paměti RAM je podporován?
Qualcomm Snapdragon 835 podporuje DDR4. HiSilicon Kirin 930 podporuje DDR3.
Jaká je maximální frekvence procesorů?
Qualcomm Snapdragon 835 má maximální frekvenci 2.45 Hz. Maximální frekvence pro HiSilicon Kirin 930 dosahuje 2 GHz.
Kolik energie spotřebují?
Spotřeba energie zařízení Qualcomm Snapdragon 835 může být až 9 wattů. HiSilicon Kirin 930 má až 9 wattů.