Comparaison Qualcomm Snapdragon 855 Plus vs HiSilicon Kirin 659
Classe
Principales spécifications et fonctionnalités
- Résultat du test AnTuTu
- Fréquence mémoire
- Prise en charge 4G
- Processus technologique
- Horloge de base du GPU
Résultat du test AnTuTu
Fréquence mémoire
Prise en charge 4G
Processus technologique
Horloge de base du GPU
La description
Qualcomm Snapdragon 855 Plus - 8 - processeur principal, cadencé à 2960 GHz. HiSilicon Kirin 659 est équipé de cœurs 8 cadencés à 2360 MHz. La fréquence maximale du premier processeur est de 2.96 GHz. Le second est capable d'overclocker jusqu'à 2.36 GHz.
Qualcomm Snapdragon 855 Plus consomme 10 Watt et HiSilicon Kirin 659 Il n'y a pas de données Watt.
En ce qui concerne le cœur graphique. Qualcomm Snapdragon 855 Plus est équipé de Adreno 640. La seconde utilise Mali-T830 MP2. Le premier fonctionne à une fréquence de 627 MHz. HiSilicon Kirin 659 fonctionne à 900 MHz.
Concernant la mémoire du processeur. Qualcomm Snapdragon 855 Plus peut prendre en charge DDR4. La capacité de mémoire maximale est de 16 Go. Et son débit est de 34 Go/s. HiSilicon Kirin 659 fonctionne avec DDR3. La quantité maximale de mémoire peut être 4. Dans le même temps, le débit atteint Il n'y a pas de données Go/s
Passons aux tests de performance dans les benchmarks. Dans le benchmark AnTuTu, Qualcomm Snapdragon 855 Plus a marqué 522778 points sur 988414 points possibles. Dans le benchmark GeekBench 5 (Multi-Core), il a marqué 2649 points sur 16511 points possibles. HiSilicon Kirin 659 à Antutu a reçu 131347 points. Et GeekBench 5 (Multi-Core) a marqué 897 points.
Résultats.
Pourquoi Qualcomm Snapdragon 855 Plus est meilleur que HiSilicon Kirin 659
- Résultat du test AnTuTu 522778 против 131347 , plus sur 298%
- Fréquence mémoire 2133 MHz против 933 MHz, plus sur 129%
- Processus technologique 7 nm против 16 nm, moins par -56%
- Fréquence maximale du processeur 2.96 GHz против 2.36 GHz, plus sur 25%
- Max. Mémoire 16 GB против 4 GB, plus sur 300%
- DirectX 12 против 11 , plus sur 9%
- Nombre de transistors 6700 1 миллион против 4000 1 миллион, plus sur 68%
Comparaison de Qualcomm Snapdragon 855 Plus et HiSilicon Kirin 659 : faits saillants
Interfaces et communications
Spécification de la mémoire
Performance
Tests de référence
FAQ
Combien de points Qualcomm Snapdragon 855 Plus et HiSilicon Kirin 659 marquent-ils dans les benchmarks ?
Dans le benchmark Antutu, Qualcomm Snapdragon 855 Plus a marqué 522778 points. HiSilicon Kirin 659 a marqué 131347 points.
Combien de cœurs le processeur possède-t-il ?
Qualcomm Snapdragon 855 Plus a 8 cœurs. HiSilicon Kirin 659 a 8 cœurs.
Combien y a-t-il de transistors dans les processeurs ?
Qualcomm Snapdragon 855 Plus a 6700 millions de transistors. HiSilicon Kirin 659 possède 4000 millions de transistors.
Quel GPU est installé sur Qualcomm Snapdragon 855 Plus et HiSilicon Kirin 659 ?
Qualcomm Snapdragon 855 Plus utilise Adreno 640. Le processeur HiSilicon Kirin 659 a le cœur graphique Mali-T830 MP2 installé.
Quelle est la vitesse des processeurs ?
Qualcomm Snapdragon 855 Plus est cadencé à 2960 MHz. HiSilicon Kirin 659 fonctionne à 2360 MHz.
Quel type de RAM est pris en charge ?
Qualcomm Snapdragon 855 Plus prend en charge la DDR4. HiSilicon Kirin 659 prend en charge DDR3.
Quelle est la fréquence maximale des processeurs ?
Qualcomm Snapdragon 855 Plus a une fréquence maximale de 2.96 Hz. La fréquence maximale pour HiSilicon Kirin 659 atteint 2.36 GHz.
Combien d'énergie consomment-ils ?
La consommation électrique de Qualcomm Snapdragon 855 Plus peut atteindre 10 Watts. HiSilicon Kirin 659 a jusqu'à 10 Watts.