Qualcomm Snapdragon 200 - 8610
Qualcomm Snapdragon 835
比較 Qualcomm Snapdragon 200 - 8610 vs Qualcomm Snapdragon 835
年級
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610
Qualcomm Snapdragon 835
接口和通信
0
6
內存規格
0
3
表現
3
10
最佳規格和功能
內存頻率
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610: 333 MHz
Qualcomm Snapdragon 835: 1866 MHz
4G支持
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610: 否
Qualcomm Snapdragon 835: 是
工藝流程
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610: 28 nm
Qualcomm Snapdragon 835: 10 nm
GPU基礎時鐘
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610: 400 MHz
Qualcomm Snapdragon 835: 710 MHz
線程數
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610: 2
Qualcomm Snapdragon 835: 8
描述
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610 - 沒有數據 - 核心處理器，主頻為 沒有數據 GHz。 Qualcomm Snapdragon 835 配備了主頻為 2450 MHz 的 8 內核。 第一個處理器的最大頻率為沒有數據 GHz。 第二個能夠超頻至 2
Qualcomm Snapdragon 835 vs Qualcomm Snapdragon 200 - 8610: 比較
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610 和 Qualcomm Snapdragon 835 的比較：亮點
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610
Qualcomm Snapdragon 835
接口和通信
4G支持
LTE 位於片上系統 (SoC) 上。內置蜂窩式 LTE 使您的下載速度比舊的 3G 技術快得多。
否
是
英特爾® AES-NI 命令
需要AES來加速加密和解密。
否
是
內存規格
內存頻率
RAM 可能會更快以提高系統性能。
333 MHz
平均: 1701 MHz
1866 MHz
平均: 1701 MHz
最大限度。 內存通道數
它們的數量越多，從內存到處理器的數據傳輸速率就越高
1
平均: 2.1
2
平均: 2.1
表現
Hyper-threading
一種允許單個物理處理器同時執行多個線程任務的技術。
否
否
64-bit
該處理器支持64位寬度的數據和指令處理。與 32 位處理器相比，這使您可以處理更多數據並執行更複雜的計算。
否
是
線程數
線程越多，處理器的性能就越高，並且能夠同時執行多個任務。
2
平均: 5.7
8
平均: 5.7
乘數解鎖
一些處理器具有未鎖定的乘法器，因此它們可以更快地工作並提高遊戲和其他應用程序的質量。
否
否
FAQ
45 GHz。
它們消耗多少能量？
Qualcomm Snapdragon 200 - 8610 的功耗最高可達 沒有數據 瓦。 Qualcomm Snapdragon 835 的功率高達 沒有數據 瓦。
