Qualcomm Snapdragon 200 - 8212 Qualcomm Snapdragon 200 - 8212
Qualcomm Snapdragon 415 Qualcomm Snapdragon 415
VS

比較 Qualcomm Snapdragon 200 - 8212 vs Qualcomm Snapdragon 415

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212

WINNER
Qualcomm Snapdragon 200 - 8212

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Qualcomm Snapdragon 415

Qualcomm Snapdragon 415

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年級
Qualcomm Snapdragon 200 - 8212
Qualcomm Snapdragon 415
接口和通信
0
0
內存規格
0
1
表現
3
1

最佳規格和功能

內存頻率

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212: 333 MHz Qualcomm Snapdragon 415: 667 MHz

4G支持

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212: Qualcomm Snapdragon 415: Да

工藝流程

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212: 28 nm Qualcomm Snapdragon 415: 28 nm

GPU基礎時鐘

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212: 400 MHz Qualcomm Snapdragon 415: 550 MHz

線程數

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212: 4 Qualcomm Snapdragon 415: 8

描述

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212 - 沒有數據 - 核心處理器,主頻為 沒有數據 GHz。 Qualcomm Snapdragon 415 配備了主頻為 1400 MHz 的 8 內核。 第一個處理器的最大頻率為沒有數據 GHz。 第二個能夠超頻至 1

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212 vs Qualcomm Snapdragon 415: 比較

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212 和 Qualcomm Snapdragon 415 的比較:亮點

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212
Qualcomm Snapdragon 200 - 8212
Qualcomm Snapdragon 415
Qualcomm Snapdragon 415
接口和通信
4G支持
LTE 位於片上系統 (SoC) 上。內置蜂窩式 LTE 使您的下載速度比舊的 3G 技術快得多。
英特爾® AES-NI 命令
需要AES來加速加密和解密。
內存規格
內存頻率
RAM 可能會更快以提高系統性能。
333 MHz
max 7500
平均: 1701 MHz
667 MHz
max 7500
平均: 1701 MHz
最大限度。 內存通道數
它們的數量越多,從內存到處理器的數據傳輸速率就越高
1
max 8
平均: 2.1
1
max 8
平均: 2.1
表現
Hyper-threading
一種允許單個物理處理器同時執行多個線程任務的技術。
64-bit
該處理器支持64位寬度的數據和指令處理。與 32 位處理器相比,這使您可以處理更多數據並執行更複雜的計算。
線程數
線程越多,處理器的性能就越高,並且能夠同時執行多個任務。
4
max 24
平均: 5.7
8
max 24
平均: 5.7
乘數解鎖
一些處理器具有未鎖定的乘法器,因此它們可以更快地工作並提高遊戲和其他應用程序的質量。

FAQ

4 GHz。

它們消耗多少能量?

Qualcomm Snapdragon 200 - 8212 的功耗最高可達 沒有數據 瓦。 Qualcomm Snapdragon 415 的功率高達 沒有數據 瓦。