Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3 Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3
Samsung Exynos 7884 Samsung Exynos 7884
VS

比較 Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3 vs Samsung Exynos 7884

Samsung Exynos 7884

WINNER
Samsung Exynos 7884

評級: 1 積分
年級
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3
Samsung Exynos 7884
接口和通信
0
0
內存規格
6
2
表現
0
1

最佳規格和功能

內存頻率

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3: 4266 MHz Samsung Exynos 7884: 1866 MHz

工藝流程

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3: 5 nm Samsung Exynos 7884: 16 nm

線程數

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3: 8 Samsung Exynos 7884: 8

英特爾® AES-NI 命令

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3: Samsung Exynos 7884:

最大限度。 內存通道數

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3: 8 Samsung Exynos 7884:

Samsung Exynos 7884 vs Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3: 比較

  • 內存頻率 4266 MHz против 1866 MHz, 更多關於 129%
  • 工藝流程 5 nm против 16 nm, 減去 -69%
  • CPU基頻 3000 MHz против 1600 MHz, 更多關於 88%

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3 和 Samsung Exynos 7884 的比較:亮點

Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen 3
Samsung Exynos 7884
Samsung Exynos 7884
接口和通信
VC-1
一種視頻壓縮標準,提供高壓縮比並支持各種分辨率和比特率。
AVC
JPEG
支持廣泛用於照片和圖形的圖像壓縮格式。
ECC
糾錯技術有助於檢測和糾正隨機干擾或故障導致的內存錯誤。
英特爾® AES-NI 命令
需要AES來加速加密和解密。
內存規格
內存頻率
RAM 可能會更快以提高系統性能。
4266 MHz
max 7500
平均: 1701 MHz
1866 MHz
max 7500
平均: 1701 MHz
最大限度。 內存通道數
它們的數量越多,從內存到處理器的數據傳輸速率就越高
8
max 8
平均: 2.1
max 8
平均: 2.1
內存版本(DDR)
指示用於臨時存儲數據和在設備上執行任務的 RAM 的類型和速度。較新版本的 DDR(例如 DDR4 或 DDR5)可提供更快的數據傳輸速率和更好的整體系統性能。 顯示完整
4
max 5
平均: 3.5
4
max 5
平均: 3.5
表現
核心數量
核心越多,可以在更短的時間內完成更多的並行任務。這可以快速提高工作效率和多任務處理能力,例如啟動應用程序、執行計算等。 顯示完整
8
max 16
平均: 6.4
8
max 16
平均: 6.4
CPU基頻
移動處理器 (SoC) 中處理器的基本頻率表示當處理器上的負載不需要提高性能時其默認工作頻率。基頻決定了處理器的基速,影響設備的整體性能。 顯示完整
3000 MHz
max 3200
平均: 922.4 MHz
1600 MHz
max 3200
平均: 922.4 MHz
Hyper-threading
一種允許單個物理處理器同時執行多個線程任務的技術。
64-bit
該處理器支持64位寬度的數據和指令處理。與 32 位處理器相比,這使您可以處理更多數據並執行更複雜的計算。
線程數
線程越多,處理器的性能就越高,並且能夠同時執行多個任務。
8
max 24
平均: 5.7
8
max 24
平均: 5.7
乘數解鎖
一些處理器具有未鎖定的乘法器,因此它們可以更快地工作並提高遊戲和其他應用程序的質量。